Evolución de la cristalización y la morfología superficial de películas delgadas de Cu en substratos de SiO2/Si tratadas térmicamente.

Abstract

En este trabajo se estudia la morfología y cristalización de la superficie de películas delgadas de Cu (expuestas al medio ambiente) sobre sustratos de SiO2/Si. Las muestras fueron sometidas a tratamientos térmicos mediante el uso de un horno tubular, en un rango de temperaturas comprendidas entre 250ºC y 1000ºC durante 3 horas para luego ser enfriadas a razón de 1.4ºC/min. La cristalización de las muestras luego de los tratamientos térmicos fueron caracterizadas mediante difracción de rayos X (DRX), mientras que la morfología de la superficie se analizó usando Microscopía Electrónica de Barrido (MEB). Los resultados obtenidos fueron analizados y encontramos que la temperatura de recocido más óptima que mejora la dirección (111) en la película de cobre y que permite conocer la dinámica de los átomos de la superficie del sistema Cu/SiO2 con respecto a la temperatura, está comprendida en el rango de 400-500ºC. Durante todo el proceso de recocido las superficies de las muestras se oxidan y notamos la presencia de siliciuros de cobre.